Транзистор S9012 (SS9012, C9012, 2SС9012)

Зачем нужна маркировка

Современному радиолюбителю сейчас доступны не только обычные компоненты с выводами, но и такие маленькие, темненькие, на которых не понять что написано, детали. Они называются “SMD”. По-русски это значит “компоненты поверхностного монтажа”. Их главное преимущество в том, что они позволяют промышленности собирать платы с помощью роботов, которые с огромной скоростью расставляют SMD-компоненты по своим местам на печатных платах, а затем массово “запекают” и на выходе получают смонтированные печатные платы. На долю человека остаются те операции, которые робот не может выполнить. Пока не может.

Маркировка на практике

Применение чип-компонентов в радиолюбительской практике тоже возможно, даже нужно, так как позволяет уменьшить вес, размер и стоимость готового изделия. Да ещё и сверлить практически не придётся. Другое важное качество компонентов поверхностного монтажа заключается в том, что благодаря своим малым размерам они вносят меньше паразитных явлений.

Дело в том, что любой электронный компонент, даже простой резистор, обладает не только активным сопротивлением, но также паразитными ёмкостью и индуктивностью, которые могут проявится в виде паразитных сигналов или неправильной работы схемы. SMD-компоненты обладают малыми размерами, что помогает снизить паразитную емкость и индуктивность компонента, поэтому улучшается работа схемы с малыми сигналами или на высоких частотах.

Разнообразные корпуса транзисторов.

Разнообразные корпуса транзисторов.

Маркировка SMD компонентов

SMD компоненты все чаще используются в промышленных и бытовых устройствах. Поверхностный монтаж улучшил производительность по сравнению с обычным монтажом, так как уменьшились размеры компонентов, а следовательно и размеры дорожек. Все эти факторы снизили паразитические индуктивности и емкости в электрических цепях.

Код Сопротивление
101 100 Ом
471 470 Ом
102 1 кОм
122 1.2 кОм
103 10 кОм
123 12 кОм
104 100 кОм
124 120 кОм
474 470 кОм

Полезная информация: как проверить транзистор с помощью мультимера.

Маркировка импортных SMD

Маркировка импортных SMD транзисторов происходит в основном по нескольким принятым системам. Одна из них – это система маркировки полупроводниковых приборов JEDEC.Согласно ей первый элемент – это число п-н переходов, второй элемент – тип номинал, третий – серийный номер, при наличие четвертого – модификации.

Вторая распространенная система маркировка – европейская. Согласно ей обозначение SMD транзисторов происходит по следующей схеме: первый элемент – тип исходного материала, второй – подкласс прибора, третий элемент – определение применение данного элемента, четвертый и пятый – основную спецификацию элемента.

Третьей популярной системой маркировки является японская. Эта система скомбинировала в себе две предыдущие. Согласно ей первый элемент – класс прибора, второй – буква S, ставится на всех полупроводниках, третий – тип прибора по исполнению, четвертый – регистрационный номер, пятый – индекс модификации, шестой – (необязательный) отношение к специальным стандартам.

Что бы к Вам ни попало в руки, для полной идентификации данного элемента следует применять маркировочные таблицы и по ним определить все характеристики данного элемента. По оценкам специалистов соотношение между производством ЭРЭ в обычном и SMD-исполнении должно приблизиться к 30:70. Многие радиолюбители уже начинают с успехом осваивать применение SMD в своих конструкциях.

Какие бывают стандарты маркировки

Маркировка, которая наносится на корпус SMD-элементов, как правило, отличается от их фирменных названий. Причина банальная – нехватка места из-за миниатюрности корпуса. Проблема особенно актуальна для ЭРЭ, которые размещаются в корпусах с шестью и менее выводами.

Это миниатюрные диоды, транзисторы, стабилизаторы напряжения, усилители и т.д. Для разгадки “что есть что” требуется проводить настоящую экспертизу, ведь по одному маркировочному коду без дополнительной информации очень трудно идентифицировать тип ЭРЭ. С момента появления первых SMD-приборов прошло более 20 лет.

Таблица маркировки SMD транзисторов

Несмотря на все попытки стандартизации, фирмы-изготовители до сих пор упорно изобретают все новые разновидности SMD-корпусов и бессистемно присваивают своим элементам маркировочные коды.

Материал в тему: прозвон транзистора своими руками.

Полбеды, что наносимые символы даже близко не напоминают наименование ЭРЭ, – хуже всего, что имеются случаи “плагиата”, когда одинаковые коды присваивают функционально разным приборам разных фирм.

Тип Наименование ЭРЭ Зарубежное название
A1 Полевой N-канальный транзистор Feld-Effect Transistor (FET), N-Channel
A2 Двухзатворный N-канальный полевой транзистор Tetrode, Dual-Gate
A3 Набор N-канальных полевых транзисторов Double MOSFET Transistor Array
B1 Полевой Р-канальный транзистор MOS, GaAs FET, P-Channel
D1 Один диод широкого применения General Purpose, Switching, PIN-Diode
D2 Два диода широкого применения Dual Diodes
D3 Три диода широкого применения Triple Diodes
D4 Четыре диода широкого применения Bridge, Quad Diodes
E1 Один импульсный диод Rectifier Diode
E2 Два импульсных диода Dual
E3 Три импульсных диода Triple
E4 Четыре импульсных диода Quad
F1 Один диод Шоттки AF-, RF-Schottky Diode, Schottky Detector Diode
F2 Два диода Шоттки Dual
F3 Три диода Шоттки Tripple
F4 Четыре диода Шоттки Quad
K1 “Цифровой” транзистор NPN Digital Transistor NPN
K2 Набор “цифровых” транзисторов NPN Double Digital NPN Transistor Array
L1 “Цифровой” транзистор PNP Digital Transistor PNP
L2 Набор “цифровых” транзисторов PNP Double Digital PNP Transistor Array
L3 Набор “цифровых” транзисторов | PNP, NPN Double Digital PNP-NPN Transistor Array
N1 Биполярный НЧ транзистор NPN (f < 400 МГц) AF-Transistor NPN
N2 Биполярный ВЧ транзистор NPN (f > 400 МГц) RF-Transistor NPN
N3 Высоковольтный транзистор NPN (U > 150 В) High-Voltage Transistor NPN
N4 “Супербета” транзистор NPN (г“21э > 1000) Darlington Transistor NPN
N5 Набор транзисторов NPN Double Transistor Array NPN
N6 Малошумящий транзистор NPN Low-Noise Transistor NPN
01 Операционный усилитель Single Operational Amplifier
02 Компаратор Single Differential Comparator
P1 Биполярный НЧ транзистор PNP (f < 400 МГц) AF-Transistor PNP
P2 Биполярный ВЧ транзистор PNP (f > 400 МГц) RF-Transistor PNP
P3 Высоковольтный транзистор PNP (U > 150 В) High-Voltage Transisnor PNP
P4 “Супербета” транзистор PNP (п21э > 1000) Darlington Transistor PNP
P5 Набор транзисторов PNP Double Transistor Array PNP
P6 Набор транзисторов PNP, NPN Double Transistor Array PNP-NPN
S1 Один сапрессор Transient Voltage Suppressor (TVS)
S2 Два сапрессора Dual
T1 Источник опорного напряжения “Bandgap”, 3-Terminal Voltage Reference
T2 Стабилизатор напряжения Voltage Regulator
T3 Детектор напряжения Voltage Detector
U1 Усилитель на полевых транзисторах GaAs Microwave Monolithic Integrated Circuit (MMIC)
U2 Усилитель биполярный NPN Si-MMIC NPN, Amplifier
U3 Усилитель биполярный PNP Si-MMIC PNP, Amplifier
V1 Один варикап (варактор) Tuning Diode, Varactor
V2 Два варикапа (варактора) Dual
Z1 Один стабилитрон Zener Diode

Аналоги

В качестве аналогов для транзистора S9012 можно использовать такие зарубежные устройства: 2S A708, BC 527, KSA 708, KSP 55, MPS 6652G, MPSA 92, MPSA 93, MPSW 51, MPSW 51A, MPSW 51AG, MPSW 51G, MPSW 55, MPSW 55G, MPSW 56, MPSW 56G, MPSW 92, MPSW 92G, PN 4354, ZTX 554, ZTX 555, ZTX 556, ZTX 557. В качестве альтернативы для замены также можно рассмотреть 2SA562, но у него другая цоколевка — ЭКБ.  Имеются и отечественная замена: КТ681А, КТ6109А, КТ6109Б, КТ6109В, КТ6109Г, КТ6109Д.

Транзисторы с маркировкой 2sc9012, ss9012, c9012 являются «близнецами-братьями» для рассмотренного s9012, с полностью идентичными параметрами.

Заключение

Автор статьи

Инженер по специальности «Программное обеспечение вычислительной техники и автоматизированных систем», МИФИ, 2005–2010 гг.

Информация о маркировочных кодах, содержащаяся в литературе, требует критического подхода и осмысления. К сожалению, красиво оформленный каталог с безукоризненной полиграфией не гарантируют от опечаток, ошибок, разночтений и противоречий, поэтому исходите из данных, что приведены в справочнике о маркировке радиоэлементов.

В заключение хотелось бы поблагодарить источники, которые были использованы для подбора материала к данной статье:

www.mp16.ru

www.rudatasheet.ru

www.texnic.ru

www.solo-project.com

www.ra4a.narod.ru

Предыдущая

ПолупроводникиЧто такое биполярный транзистор

Следующая

ПолупроводникиSMD транзисторы

Группа — 4

Микросхемы этой группы используются в тех случаях, когда необходимо преобразовать напряжение 2,5 — 5,0 вольт в более высокое напряжение ряда 3,3 — 5,0 — 12,0 — 15,0 вольт. Такие преобразователи часто применяются в планшетах, модемах, мониторах и телевизорах, зарядных устройствах, электронных книгах с e-ink дисплеями, устройствах с батарейным питанием.

Специализированные повышающие преобразователи, применяемые для питания светодиодов подсветки экрана, рассматриваются здесь.

INENSWFBGNDC1C2C3R1R2L1VD1VinVout

Назначение выводов:

  • IN — входное напряжение питания 2,5…5в. (Для некоторых типов до 28в.)
  • GND — земля, общий провод.
  • EN — напряжение включения. При подаче напряжения логической единицы на этот вывод микросхема включается, при соединении с землей — отключается.
  • SW — выход для подключения дросселя.
  • FB — напряжение обратной связи (0,6…1,3в).

Напряжение на выходе преобразователя зависит от соотношения номиналов резисторов R1, R2 и рассчитывается по формуле:

R1 = (Vout / Vfb -1) • R2

здесь Vfb — значение напряжения на входе FB, в.

Значение Vfb указано в таблице для каждой микросхемы. При подборе аналога необходимо брать микросхему с тем же значением Vfb, иначе выходное напряжение сильно изменится. Это может повредить устройство.

Конденсатор C3 служит для повышения стабильности генерации. Обычно он имеет емкость 22 пф, но некоторые производители им пренебрегают. Конденсаторы С1, С4 рекомендуется устанавливать емкостью от 4 до 10 мкф.

Маркировка DC/DC преобразователей в корпусе SOT23-5

Условные обозначения:
y — буква, код года изготовления

m — буква, код месяца изготовления

w — буква, код недели изготовления

a — буква, код места изготовления

p — буква, код партии

Маркировка DC/DC преобразователей в корпусе SOT23-6

Мар­ки­ров­ка Наз­ва­ние Выводы Макс. вых. ток, A Час­то­та МГц Vfb, в PDF Ку­пить
6 5 4
1 2 3
B62ywp MT3608 NC IN EN 2.00 1.20 0.600
SW GND FB
B62ywp SX1308 NC IN EN 2.00 1.20 0.600
SW GND FB
B628yp SDB628 NC IN EN 2.00 1.20 0.600
SW GND FB
B628 HX3608 NC IN EN 2.00 1.20 0.600
SW GND FB
BCywp SE3608 NC IN EN 1.50 1.20 0.600
SW GND FB
BCywp MST9220BSF NC IN EN 2.00 1.20 0.600
SW GND FB
CAywp SY7208ABC NC IN EN 2.00 1.00 0.600
SW GND FB
G1Qp ME2159AM6G NC IN EN 1.00 0.60 0.600
SW GND FB
G2Qp ME2159BM6G NC IN EN 0.80 0.60 0.600
SW GND FB
JUywp SY7208CABC IN NC EN 0.60 1.00 0.600
SW GND FB
LEywp SY7152ABC NC IN EN 2.00 1.00 0.600
SW GND FB
TD8208 TD8208 NC IN EN 2.00 1.00 0.600
SW GND FB
THywp AP2004HTCER NC IN EN 3.00 1.00 0.600
SW GND FB
U1ywp AP2008TCER NC IN EN 2.00 1.00 0.600
SW GND FB
W2ywp AX5523CA NC IN EN 2.00 1.20 0.600
SW GND FB
XR1151 XR1151 IN IN EN 2.00 1.20 0.600
SW GND FB

Условные обозначения:
y — буква, код года изготовления

m — буква, код месяца изготовления

w — буква, код недели изготовления

a — буква, код места изготовления

p — буква, код партии

Производители

DataSheet от транзистора S9012 можно скачать от фирм которые занимаются их производством: SeCoS Halbleitertechnologie, Galaxy Semi-Conductor Holdings, Jiangsu Changjiang Electronics Technology, Jiangsu High diode Semiconductor, KEC Semiconductor, Weitron Technology, Nanjing International Group, Tiger Electronic, SHENZHEN SLS TECHNOLOGY, Diode Semiconductor Korea, Daya Electric Group, SHIKE Electronics, SHENZHEN KOO CHIN ELECTRONICS, GUANGDONG HOTTECH INDUSTRIAL, DONGGUAN YOU FENG WEI ELECTRONICS, Shenzhen Jin Yu Semiconductor.

На отечественном рынке данные изделия представлены несколькими конторами: Weitron Technology, KEC Semiconductor.

Рейтинг
( 1 оценка, среднее 5 из 5 )
Загрузка ...
Электрик в Дом